Справочник MOSFET. CS6768

 

CS6768 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS6768
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для CS6768

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS6768 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  china
 cs6768.pdf pdf_icon

CS6768

CS6768 N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 14 A ID VGS=10V,TC=100 9 A IDM 56 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.83 /W BVDSS VGS=0V,ID=1 mA 400 V VGS=10V,ID=9A 0.3 RDS on

 9.1. Size:106K  china
 cs6769.pdf pdf_icon

CS6768

CS6769 N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 11 A ID VGS=10V,TC=100 7 A IDM 20 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.83 /W BVDSS VGS=0V,ID=4 mA 450 V RDS on VGS=10V,ID=7A 0.55

 9.2. Size:125K  china
 cs6766.pdf pdf_icon

CS6768

CS6766 N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 30 A ID VGS=10V,TC=100 19 A IDM 120 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.83 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 200 V VGS=10V,ID=19A 0.085 RDS on

Другие MOSFET... CS640FA9H , CS64N90 , CS64N90B , CS64N90F , CS65N20-30 , CS6660 , CS6661 , CS6766 , 2N60 , CS6769 , CS6790 , CS6796 , CS6798 , CS6849 , CS6849U , CS6N60A3TY , CS6N60A4D .

History: HMS11N60I | AP4426GM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.