CS6798 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS6798
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257
Búsqueda de reemplazo de CS6798 MOSFET
CS6798 Datasheet (PDF)
cs6798.pdf

CS6798 N PD TC=25 25 W 0.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 5.5 A ID VGS=10V,TC=100 3.5 A IDM 22 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W RthJA 175 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 200 V RDS on VGS=10
cs6790.pdf

CS6790 N PD TC=25 20 W 0.16 W/ ID VGS=10V,TC=25 3.5 A ID VGS=10V,TC=100 2.25 A IDM 14 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 6.25 /W RthJA 175 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 200 V VGS=10V,ID=2
cs6796.pdf

CS6796 N PD TC=25 25 W 0.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 8 A ID VGS=10V,TC=100 5 A IDM 32 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W RthJA 175 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V VGS=10V,ID=5A 0.18
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History: IPB114N03LG | QM4302D | SM4066CSK
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Liste
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