CS6798. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS6798

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-257

Аналог (замена) для CS6798

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS6798 даташит

 ..1. Size:136K  china
 cs6798.pdf pdf_icon

CS6798

CS6798 N PD TC=25 25 W 0.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 5.5 A ID VGS=10V,TC=100 3.5 A IDM 22 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W RthJA 175 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 200 V RDS on VGS=10

 9.1. Size:137K  china
 cs6790.pdf pdf_icon

CS6798

CS6790 N PD TC=25 20 W 0.16 W/ ID VGS=10V,TC=25 3.5 A ID VGS=10V,TC=100 2.25 A IDM 14 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 6.25 /W RthJA 175 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 200 V VGS=10V,ID=2

 9.2. Size:137K  china
 cs6796.pdf pdf_icon

CS6798

CS6796 N PD TC=25 25 W 0.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 8 A ID VGS=10V,TC=100 5 A IDM 32 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W RthJA 175 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V VGS=10V,ID=5A 0.18

Другие IGBT... CS65N20-30, CS6660, CS6661, CS6766, CS6768, CS6769, CS6790, CS6796, IRFZ24N, CS6849, CS6849U, CS6N60A3TY, CS6N60A4D, CS6N60A4TY, CS6N60F, CS6N60FA9TY, CS6N70A3D-G