CS6849 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS6849
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS6849
CS6849 Datasheet (PDF)
cs6849.pdf
CS6849P PD TC=25 25 W 0.2 W/ID VGS=-10V,TC=25 -6.5 AID VGS=-10V,TC=100 -4.1 AIDM -25 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-4.1A 0.45
cs6849u.pdf
CS6849UP PD TC=25 25 W 0.20 W/ID VGS=-10V,TC=25 -6.5 AID VGS=-10V,TC=100 -4.1 AIDM -25 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-4.1A 0.30
cs684.pdf
CS684 TO3 PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-3 metal package. CS684 is the BD684 in TO3 package. Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit-VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V -VCBO Collector-Base Voltage 140 V -VE
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Liste
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