CS6849 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent
Type Designator: CS6849
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 25 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 6.5 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.45 Ohm
Package: TO18
CS6849 Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search
CS6849 Datasheet (PDF)
1.1. cs6849.pdf 
Size:59K _update_mosfet
CS6849型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 25 W 线性降低系数 0.2 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -6.5 A 极 ID （VGS=-10V,TC=100℃） -4.1 A 限 IDM -25 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 5.0 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=-4.1A 0.45 Ω
1.2. cs6849u.pdf Size:66K _update_mosfet
CS6849U型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 25 W 线性降低系数 0.20 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -6.5 A 极 ID （VGS=-10V,TC=100℃） -4.1 A 限 IDM -25 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 5.0 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=-4.1A 0.30 Ω
5.1. cs684.pdf Size:68K _update
CS684 TO3 PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-3 metal package. CS684 is the BD684 in TO3 package. Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit -VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V -VCBO Collector-Base Voltage 140 V -VE
Datasheet: IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .
LIST
Last Update
MOSFET: CMB1405 | CMP1405 | JCS4N60F | JCS4N60C | JCS4N60B | JCS4N60S | JCS4N60R | JCS4N60V | MDU2657 | OSG55R190PF | OSG55R190FF | OSG55R190DF | OSG55R190AF | PTP04N04N | RU7088R3 |