CS740FA9H MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

CS740FA9H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS740FA9H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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CS740FA9H datasheet

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Silicon N-Channel Power MOSFET R CS740F A9H General Description VDSS 400 V CS740F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 10 A PD (TC=25 ) 45 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.36 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

8.1. Size:1642K 1
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N R N-CHANNEL MOSFET JCS740C MAIN CHARACTERISTICS Package 10 A ID 400 V VDSS Rdson 0.54 @Vgs=10V 19.7nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

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