CS75N08 Todos los transistores

 

CS75N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS75N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de CS75N08 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CS75N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  foshan
cs75n08.pdf pdf_icon

CS75N08

BR75N08(CS75N08) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

 9.1. Size:843K  crhj
cs75n75 b8h.pdf pdf_icon

CS75N08

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS75N75 B8H General Description VDSS 75 V CS75N75 B8H, the silicon N-channel Enhanced ID 100 A PD(TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 10.2 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 9.2. Size:63K  china
cs75n75.pdf pdf_icon

CS75N08

CS75N75N PD TC=25 220 W 1.4 W/ID VGS=10V,TC=25 75 AID VGS=10V,TC=100 56 AIDM 300 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.8 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 75 VRDS on VGS=10V,ID=48A 0.0125 0.015

 9.3. Size:843K  wuxi china
cs75n75b8h.pdf pdf_icon

CS75N08

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS75N75 B8H General Description VDSS 75 V CS75N75 B8H, the silicon N-channel Enhanced ID 100 A PD(TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 10.2 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

Otros transistores... CS740 , CS740A8H , CS740F , CS740FA9H , CS740S , CS7416 , CS7455 , CS7456 , IRFP460 , CS75N75 , CS75N75B8H , CS7807 , CS7N1404 , CS7N60A7HD , CS7N60A8HD , CS7N60F , CS7N60FA9HD .

History: AP9971AGM-HF | CS100N08A8 | UPA1857GR | AP85T03GP-HF | TSP10N60M | IPD220N06L3G | IPD50N04S4-08

 

 
Back to Top

 


 
.