CS75N08 Todos los transistores

 

CS75N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS75N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

CS75N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  foshan
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CS75N08

BR75N08(CS75N08) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

 9.1. Size:843K  crhj
cs75n75 b8h.pdf pdf_icon

CS75N08

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS75N75 B8H General Description VDSS 75 V CS75N75 B8H, the silicon N-channel Enhanced ID 100 A PD(TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 10.2 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 9.2. Size:63K  china
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CS75N08

CS75N75N PD TC=25 220 W 1.4 W/ID VGS=10V,TC=25 75 AID VGS=10V,TC=100 56 AIDM 300 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.8 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 75 VRDS on VGS=10V,ID=48A 0.0125 0.015

 9.3. Size:843K  wuxi china
cs75n75b8h.pdf pdf_icon

CS75N08

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS75N75 B8H General Description VDSS 75 V CS75N75 B8H, the silicon N-channel Enhanced ID 100 A PD(TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 10.2 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: IRLZ10 | WFY3N02 | APT904R2AN | IRLM110A | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | 13N50F

 

 
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