CS75N08 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

CS75N08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS75N08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO-220

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CS75N08 datasheet

..1. Size:216K foshan
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BR75N08(CS75N08) N-CHANNEL MOSFET/N MOS DC/DC Purpose These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. , , Features Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

9.1. Size:843K crhj
cs75n75 b8h.pdf pdf_icon

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS75N75 B8H General Description VDSS 75 V CS75N75 B8H, the silicon N-channel Enhanced ID 100 A PD(TC=25 ) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 10.2 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

9.2. Size:63K china
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CS75N75 N PD TC=25 220 W 1.4 W/ ID VGS=10V,TC=25 75 A ID VGS=10V,TC=100 56 A IDM 300 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.8 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 75 V RDS on VGS=10V,ID=48A 0.0125 0.015

9.3. Size:843K wuxi china
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