CS75N75B8H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS75N75B8H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 71 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS75N75B8H

CS75N75B8H Datasheet (PDF)

..1. Size:843K wuxi china
cs75n75b8h.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS75N75 B8H General Description VDSS 75 V CS75N75 B8H, the silicon N-channel Enhanced ID 100 A PD(TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 10.2 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

7.1. Size:843K crhj
cs75n75 b8h.pdf

7.2. Size:63K china
cs75n75.pdf

CS75N75N PD TC=25 220 W 1.4 W/ID VGS=10V,TC=25 75 AID VGS=10V,TC=100 56 AIDM 300 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.8 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 75 VRDS on VGS=10V,ID=48A 0.0125 0.015

9.1. Size:216K foshan
cs75n08.pdf

BR75N08(CS75N08) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

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