Справочник MOSFET. CS75N75B8H

 

CS75N75B8H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS75N75B8H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CS75N75B8H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:843K  wuxi china
 cs75n75b8h.pdf pdf_icon

CS75N75B8H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS75N75 B8H General Description VDSS 75 V CS75N75 B8H, the silicon N-channel Enhanced ID 100 A PD(TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 10.2 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 7.1. Size:843K  crhj
 cs75n75 b8h.pdf pdf_icon

CS75N75B8H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS75N75 B8H General Description VDSS 75 V CS75N75 B8H, the silicon N-channel Enhanced ID 100 A PD(TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 10.2 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 7.2. Size:63K  china
 cs75n75.pdf pdf_icon

CS75N75B8H

CS75N75N PD TC=25 220 W 1.4 W/ID VGS=10V,TC=25 75 AID VGS=10V,TC=100 56 AIDM 300 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.8 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 75 VRDS on VGS=10V,ID=48A 0.0125 0.015

 9.1. Size:216K  foshan
 cs75n08.pdf pdf_icon

CS75N75B8H

BR75N08(CS75N08) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.