CS9530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS9530
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS9530

CS9530 Datasheet (PDF)

..1. Size:63K china
cs9530.pdf

CS9530P PD TC=25 75 W 0.6 W/ID VGS=-10V,TC=25 -12 AID VGS=-10V,TC=100 -7.5 AIDM -48 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /WRthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=

9.1. Size:65K china
cs9532.pdf

CS9532P PD TC=25 76 W 0.6 W/ID VGS=-10V,TC=25 -10 AIDM -40 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-6.5A 0.30 0.40 VGS th VDS=VGS,ID=-0.25m

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Liste

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