All MOSFET. CS9530 Datasheet

 

CS9530 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

Type Designator: CS9530

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: P -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 75 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 12 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.3 Ohm

Package: TO-254

CS9530 Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search

 

CS9530 Datasheet (PDF)

1.1. cs9530.pdf Size:63K _update_mosfet

CS9530

CS9530型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 75 W 线性降低系数 0.6 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -12 A 极 ID （VGS=-10V,TC=100℃） -7.5 A 限 IDM -48 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 1.67 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=

5.1. cs9532.pdf Size:65K _update_mosfet

CS9530

CS9532型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 76 W 线性降低系数 0.6 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -10 A 极 限 IDM -40 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 1.67 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=-6.5A 0.30 0.40 Ω （ VGS th） VDS=VGS,ID=-0.25m

Datasheet: CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .

 

 
Back to Top