CS9945BEY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS9945BEY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS9945BEY

CS9945BEY Datasheet (PDF)

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cs9945bey.pdf

CS9945BEY N PD TC=25 4 W ID VGS=10V,TC=25 6 A IDM 21.5 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 112 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 V RDS on VGS=10V,ID=3.4A 0.064 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 1.5 2.5 V gfs VD

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