CSBF30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSBF30
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VRds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSBF30
CSBF30 Datasheet (PDF)
csbf30.pdf
CSBF30 N PD TC=25 125 W ID VGS=10V,TC=25 3.6 A IDM 14 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W RthJA 62 BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2.2A 3.7 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918