CSBF30 Todos los transistores

 

CSBF30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSBF30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSBF30

 

CSBF30 Datasheet (PDF)

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csbf30.pdf

CSBF30

CSBF30 N PD TC=25 125 W ID VGS=10V,TC=25 3.6 A IDM 14 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W RthJA 62 BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2.2A 3.7 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V

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