CSBF30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSBF30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.7 Ohm

Encapsulados: TO-220

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CSBF30 datasheet

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CSBF30

CSBF30 N PD TC=25 125 W ID VGS=10V,TC=25 3.6 A IDM 14 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W RthJA 62 BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2.2A 3.7 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V

Otros transistores... CS9540, CS9620, CS9640, CS9945BEY, CS9N90ANHD, CS9N90FA9D, CSB4110, CSB4710, AO3407, CSE110, CSE130, CSE220, CSE230, CSE9130, CSE9210, CSF230, CSF9024