CSBF30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSBF30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для CSBF30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSBF30 даташит

 ..1. Size:116K  china
 csbf30.pdf pdf_icon

CSBF30

CSBF30 N PD TC=25 125 W ID VGS=10V,TC=25 3.6 A IDM 14 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W RthJA 62 BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2.2A 3.7 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V

Другие IGBT... CS9540, CS9620, CS9640, CS9945BEY, CS9N90ANHD, CS9N90FA9D, CSB4110, CSB4710, AO3407, CSE110, CSE130, CSE220, CSE230, CSE9130, CSE9210, CSF230, CSF9024