CSE9130 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSE9130

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-257

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CSE9130 datasheet

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CSE9130

CSE9130 P PD TC=25 22 W 0.17 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -6.1 A ID VGS=-10V,TC=100 -3.8 A IDM -24 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.8 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-3.8A 0.30

Otros transistores... CS9N90FA9D, CSB4110, CSB4710, CSBF30, CSE110, CSE130, CSE220, CSE230, STF13NM60N, CSE9210, CSF230, CSF9024, CSI460, CSI4N60, CSL2803, CSLR024, CSM064