CSE9130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSE9130
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257
- Selección de transistores por parámetros
CSE9130 Datasheet (PDF)
cse9130.pdf

CSE9130P PD TC=25 22 W 0.17 W/ID VGS=-10V,TC=25 -6.1 AID VGS=-10V,TC=100 -3.8 AIDM -24 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.8 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-3.8A 0.30
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: CEF05N6 | AM2336N-T1 | G11 | SMOS44N80 | DMP1096UCB4
History: CEF05N6 | AM2336N-T1 | G11 | SMOS44N80 | DMP1096UCB4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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