CSI460 Todos los transistores

 

CSI460 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSI460
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257
     - Selección de transistores por parámetros

 

CSI460 Datasheet (PDF)

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CSI460

CSI460 N PD TC=25 300 W 2.4 W/ ID VGS=10V,TC=25 21 A ID VGS=10V,TC=100 13 A IDM 84 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.42 /W RthJA 30 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0 mA 500 V VGS=10V,ID=13A 0

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: BLM9435 | STB85NF3LLT4 | FQI9N08TU | JFPC5N65C | 2SK2740 | MPSP65M390 | 2SK3418

 

 
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