2SK1133 Todos los transistores

 

2SK1133 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1133
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC59
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK1133 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:363K  nec
 2sk1133.pdf pdf_icon

2SK1133

 ..2. Size:910K  kexin
 2sk1133.pdf pdf_icon

2SK1133

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK1133SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 50V1 2 ID = 100 mA+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1 RDS(ON) 50 (VGS = 4V ) Complments the 2SJ1661.Gate2.Drain3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 50V G

 0.1. Size:949K  kexin
 2sk1133-3.pdf pdf_icon

2SK1133

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK1133SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 50V1 2 ID = 100 mA+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 50 (VGS = 4V ) +0.11.9 -0.2 Complments the 2SJ1661. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 5

 8.1. Size:60K  toshiba
 2sk1134.pdf pdf_icon

2SK1133

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SK1019 , 2SK105 , 2SK1059 , 2SK1060 , 2SK1109 , 2SK1122 , 2SK1123 , 2SK1132 , IRFB4227 , 2SK1177 , 2SK1178 , 2SK1179 , 2SK1180 , 2SK1181 , 2SK1183 , 2SK1184 , 2SK1185 .

History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
Back to Top

 


 
.