Справочник MOSFET. 2SK1133

 

2SK1133 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1133
   Маркировка: G11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: SC59
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1133 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:363K  nec
2sk1133.pdfpdf_icon

2SK1133

 ..2. Size:910K  kexin
2sk1133.pdfpdf_icon

2SK1133

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK1133SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 50V1 2 ID = 100 mA+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1 RDS(ON) 50 (VGS = 4V ) Complments the 2SJ1661.Gate2.Drain3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 50V G

 0.1. Size:949K  kexin
2sk1133-3.pdfpdf_icon

2SK1133

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK1133SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 50V1 2 ID = 100 mA+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 50 (VGS = 4V ) +0.11.9 -0.2 Complments the 2SJ1661. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 5

 8.1. Size:60K  toshiba
2sk1134.pdfpdf_icon

2SK1133

Другие MOSFET... 2SK1019 , 2SK105 , 2SK1059 , 2SK1060 , 2SK1109 , 2SK1122 , 2SK1123 , 2SK1132 , IRFB4227 , 2SK1177 , 2SK1178 , 2SK1179 , 2SK1180 , 2SK1181 , 2SK1183 , 2SK1184 , 2SK1185 .

History: CED6086 | 2SK3581-01SJ | MTDP9620Q8 | SI5475BDC | NTMD5838NL | FQAF34N25 | WFF12N70S

 

 
Back to Top

 


 
.