CSD15571Q2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSD15571Q2
Código: 1551
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.9 VQgⓘ - Carga de la puerta: 5.1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: WSON
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSD15571Q2
CSD15571Q2 Datasheet (PDF)
csd15571q2.pdf
CSD15571Q2www.ti.com SLPS435 AUGUST 201320-V N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD15571Q21FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 20 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 2.5 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge Gate to Drain 0.66 nCVGS = 4.5V 16 m Pb Free Terminal PlatingRDS(on) Drai
csd15380f3.pdf
Support &Product Order Technical Tools &CommunityFolder Now Documents SoftwareCSD15380F3ZHCSEZ4A MAY 2016REVISED JULY 2017CSD15380F3 20V N FemtoFETMOSFET1 1 CiSS COSSTA = 25C Qg QgdVDS 20 V Qg
csd1506.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN PLASTIC POWER TRANSISTORCSD1506TO126 Plastic PackageECBComplementary CSB1065Low Frequency Power AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBOCollector Base Voltage(open emitter) >60 VCollector Emitter Voltage (open b
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Liste
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