CSD15571Q2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD15571Q2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: WSON

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CSD15571Q2 datasheet

 ..1. Size:1396K  texas
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CSD15571Q2

CSD15571Q2 www.ti.com SLPS435 AUGUST 2013 20-V N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD15571Q2 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Ultralow Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 20 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5V) 2.5 nC Avalanche Rated Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.66 nC VGS = 4.5V 16 m Pb Free Terminal Plating RDS(on) Drai

 9.1. Size:1412K  texas
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CSD15571Q2

 9.2. Size:227K  cdil
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CSD15571Q2

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR CSD1506 TO126 Plastic Package E C B Complementary CSB1065 Low Frequency Power Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCBO Collector Base Voltage(open emitter) >60 V Collector Emitter Voltage (open b

Otros transistores... CSD024, CSD13201W10, CSD13202Q2, CSD13302W, CSD13303W1015, CSD13306W, CSD13381F4, CSD13383F4, IRF1404, CSD16301Q2, CSD16321Q5, CSD16322Q5, CSD16323Q3, CSD16325Q5, CSD16327Q3, CSD16340Q3, CSD16342Q5A