CSD15571Q2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD15571Q2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: WSON

Аналог (замена) для CSD15571Q2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD15571Q2 даташит

 ..1. Size:1396K  texas
 csd15571q2.pdf pdf_icon

CSD15571Q2

CSD15571Q2 www.ti.com SLPS435 AUGUST 2013 20-V N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD15571Q2 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Ultralow Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 20 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5V) 2.5 nC Avalanche Rated Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.66 nC VGS = 4.5V 16 m Pb Free Terminal Plating RDS(on) Drai

 9.1. Size:1412K  texas
 csd15380f3.pdf pdf_icon

CSD15571Q2

 9.2. Size:227K  cdil
 csd1506.pdf pdf_icon

CSD15571Q2

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR CSD1506 TO126 Plastic Package E C B Complementary CSB1065 Low Frequency Power Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCBO Collector Base Voltage(open emitter) >60 V Collector Emitter Voltage (open b

Другие IGBT... CSD024, CSD13201W10, CSD13202Q2, CSD13302W, CSD13303W1015, CSD13306W, CSD13381F4, CSD13383F4, IRF1404, CSD16301Q2, CSD16321Q5, CSD16322Q5, CSD16323Q3, CSD16325Q5, CSD16327Q3, CSD16340Q3, CSD16342Q5A