CSD88539ND Todos los transistores

 

CSD88539ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSD88539ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CSD88539ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1002K  texas
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CSD88539ND

CSD88539NDSLPS456 FEBRUARY 2014CSD88539ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Avalanche RatedVDS Drain-to-Source Voltage 60 V Pb FreeQg Gate Charge Total (10 V) 7.2 nC RoHS Compliant Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nCVGS = 6 V 27 m Halogen FreeRDS(on) Drain-

 7.1. Size:1176K  texas
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CSD88539ND

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD88537NDZHCSCQ9A JANUARY 2014 REVISED AUGUST 2014CSD88537ND 60V N NexFET (MOSFET)1 1 Qg QgdTA = 25

 9.1. Size:300K  cdil
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CSD88539ND

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON POWER TRANSISTOR CSD880TO-220Audio Frequency Power Amplifier Applications.Complementary CSB834ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter- Base Voltage VEBO 7.0 VCollector Curr

 9.2. Size:243K  cdil
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CSD88539ND

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN PLASTIC POWER TRANSISTORCSD882TO126 Plastic PackageECBComplementary CSB772Audio Frequency Power Amplifier and Low Speed Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBOCollector Base Voltage(open emitter) >40

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History: N2500N | DH850N10I

 

 
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