CSD88539ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CSD88539ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для CSD88539ND
CSD88539ND Datasheet (PDF)
csd88539nd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CSD88539NDSLPS456 FEBRUARY 2014CSD88539ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Avalanche RatedVDS Drain-to-Source Voltage 60 V Pb FreeQg Gate Charge Total (10 V) 7.2 nC RoHS Compliant Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nCVGS = 6 V 27 m Halogen FreeRDS(on) Drain-
csd88537nd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD88537NDZHCSCQ9A JANUARY 2014 REVISED AUGUST 2014CSD88537ND 60V N NexFET (MOSFET)1 1 Qg QgdTA = 25
csd880 gr y.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON POWER TRANSISTOR CSD880TO-220Audio Frequency Power Amplifier Applications.Complementary CSB834ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter- Base Voltage VEBO 7.0 VCollector Curr
csd882 p q.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN PLASTIC POWER TRANSISTORCSD882TO126 Plastic PackageECBComplementary CSB772Audio Frequency Power Amplifier and Low Speed Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBOCollector Base Voltage(open emitter) >40
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: 4614