Справочник MOSFET. CSD88539ND

 

CSD88539ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CSD88539ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 70 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для CSD88539ND

 

 

CSD88539ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1002K  texas
csd88539nd.pdf

CSD88539ND CSD88539ND

CSD88539NDSLPS456 FEBRUARY 2014CSD88539ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Avalanche RatedVDS Drain-to-Source Voltage 60 V Pb FreeQg Gate Charge Total (10 V) 7.2 nC RoHS Compliant Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nCVGS = 6 V 27 m Halogen FreeRDS(on) Drain-

 7.1. Size:1176K  texas
csd88537nd.pdf

CSD88539ND CSD88539ND

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD88537NDZHCSCQ9A JANUARY 2014 REVISED AUGUST 2014CSD88537ND 60V N NexFET (MOSFET)1 1 Qg QgdTA = 25

 9.1. Size:300K  cdil
csd880 gr y.pdf

CSD88539ND CSD88539ND

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON POWER TRANSISTOR CSD880TO-220Audio Frequency Power Amplifier Applications.Complementary CSB834ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter- Base Voltage VEBO 7.0 VCollector Curr

 9.2. Size:243K  cdil
csd882 p q.pdf

CSD88539ND CSD88539ND

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN PLASTIC POWER TRANSISTORCSD882TO126 Plastic PackageECBComplementary CSB772Audio Frequency Power Amplifier and Low Speed Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBOCollector Base Voltage(open emitter) >40

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 4614

 

 
Back to Top