K2611 Todos los transistores

 

K2611 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2611
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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K2611 datasheet

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K2611

K2611 K2611 K2611 K2611 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 11A,900V, R (Max1.10 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 72nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode power fi... See More ⇒

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K2611

2SK2611 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSIII) 2SK2611 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 1.1 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y 7.0 S (typ.) fs = Low leakage current I = 100 A (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V (V =... See More ⇒

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K2611

K2611SB K2611SB K2611SB K2611SB Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,900V, R (Max1.35 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode p... See More ⇒

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K2611

K2611S K2611S K2611S K2611S Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,900V, R (Max1.35 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode power... See More ⇒

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