K2611 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: K2611
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO-247
K2611 Datasheet (PDF)
k2611.pdf

K2611K2611K2611K2611Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 11A,900V, R (Max1.10)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 72nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mode power fi
2sk2611.pdf

2SK2611 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2611 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.1 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | 7.0 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V =
k2611sb.pdf

K2611SBK2611SBK2611SBK2611SBSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,900V, R (Max1.35)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mode p
k2611s.pdf

K2611SK2611SK2611SK2611SSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,900V, R (Max1.35)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mode power
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPK7N65BJ | JMPK630BJ | JMPK5N50BJ | JMPK4N65BJ | JMPK4N60BJ | JMPF18N50BJ | JMPF16N65BJ | JMPF16N60BJ | JMPF15N50BJ | JMPF13N50BJ | JMPF12N65BJ | JMPF12N60BJ | JMPF10N65BJ | JMPF10N60BJ | JMPE34N20BJ | JMPE18N20BJ
Popular searches
a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor