K2611B Todos los transistores

 

K2611B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2611B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PB
     - Selección de transistores por parámetros

 

K2611B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:999K  winsemi
 k2611b.pdf pdf_icon

K2611B

K2611BK2611BK2611BK2611BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 11A,900V, R (Max1.10)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 72nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mode powe

 9.1. Size:408K  toshiba
 2sk2611.pdf pdf_icon

K2611B

2SK2611 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2611 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.1 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | 7.0 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V =

 9.2. Size:694K  winsemi
 k2611sb.pdf pdf_icon

K2611B

K2611SBK2611SBK2611SBK2611SBSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,900V, R (Max1.35)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mode p

 9.3. Size:571K  winsemi
 k2611s.pdf pdf_icon

K2611B

K2611SK2611SK2611SK2611SSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,900V, R (Max1.35)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mode power

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NTD3055-094-1G | 2SK1601 | IRFZ24L | CS15N70F

 

 
Back to Top

 


 
.