K2611SB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: K2611SB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 276 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm

Encapsulados: TO-3PB

 Búsqueda de reemplazo de K2611SB MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

K2611SB datasheet

 ..1. Size:694K  winsemi
 k2611sb.pdf pdf_icon

K2611SB

K2611SB K2611SB K2611SB K2611SB Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,900V, R (Max1.35 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode p

 8.1. Size:571K  winsemi
 k2611s.pdf pdf_icon

K2611SB

K2611S K2611S K2611S K2611S Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,900V, R (Max1.35 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode power

 9.1. Size:408K  toshiba
 2sk2611.pdf pdf_icon

K2611SB

2SK2611 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSIII) 2SK2611 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 1.1 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y 7.0 S (typ.) fs = Low leakage current I = 100 A (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V (V =

 9.2. Size:999K  winsemi
 k2611b.pdf pdf_icon

K2611SB

K2611B K2611B K2611B K2611B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 11A,900V, R (Max1.10 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 72nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode powe

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... CSD87352Q5D, CSD87353Q5D, CSD87501L, CSD88539ND, CSD9024, K2611, K2611B, K2611S, 20N50, K2698, K2698B, K2837, K2837B, KDB15N50, KDB2532, KDB2552, KDB2570