K2611SB - описание и поиск аналогов

 

K2611SB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: K2611SB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 276 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm

Тип корпуса: TO-3PB

Аналог (замена) для K2611SB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

K2611SB даташит

 ..1. Size:694K  winsemi
 k2611sb.pdf pdf_icon

K2611SB

K2611SB K2611SB K2611SB K2611SB Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,900V, R (Max1.35 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode p

 8.1. Size:571K  winsemi
 k2611s.pdf pdf_icon

K2611SB

K2611S K2611S K2611S K2611S Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,900V, R (Max1.35 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode power

 9.1. Size:408K  toshiba
 2sk2611.pdf pdf_icon

K2611SB

2SK2611 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSIII) 2SK2611 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 1.1 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y 7.0 S (typ.) fs = Low leakage current I = 100 A (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V (V =

 9.2. Size:999K  winsemi
 k2611b.pdf pdf_icon

K2611SB

K2611B K2611B K2611B K2611B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 11A,900V, R (Max1.10 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 72nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode powe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CSD87352Q5D , CSD87353Q5D , CSD87501L , CSD88539ND , CSD9024 , K2611 , K2611B , K2611S , 20N50 , K2698 , K2698B , K2837 , K2837B , KDB15N50 , KDB2532 , KDB2552 , KDB2570 .

History: IRFB7430PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.