K2698 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: K2698
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 208 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 42 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET K2698
K2698 Datasheet (PDF)
k2698.pdf
K2698K2698K2698K2698Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,500V,R (Max0.27)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winse
2sk2698.pdf
2SK2698 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2698 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mmApplications Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.35 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 11 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10
k2698b.pdf
K2698BK2698BK2698BK2698BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,500V,R (Max0.27)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using W
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