KDB2532 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDB2532

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 79 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 615 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO-263

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KDB2532 datasheet

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KDB2532

SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB2532(FDB2532) TO-263 Unit mm Features +0.2 4.57-0.2 +0.1 rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 33A 1.27-0.1 Qg(tot) = 82nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode +0.1 0.1max 1.27-0.1 UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2 3

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KDB2532

SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB2552(FDB2552) Features TO-263 Unit mm rDS(ON) = 32m (Typ.), VGS = 10V, ID = 16A +0.2 4.57-0.2 +0.1 Qg(tot) = 39nC (Typ.), VGS = 10V 1.27-0.1 Low Miller Charge Low QRR Body Diode UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) +0.1 0.1max 1.27-0.1 +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2 3

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KDB2532

SMD Type MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET KDB2570(FDB2570) TO-263 Unit mm Features 22 A, 150 V. RDS(ON) =80 m @VGS =10 V +0.2 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 RDS(ON) =90m @VGS =6V Low gate charge Fast switching speed +0.1 0.1max 1.27-0.1 High performance trench technology for extremely low RDS(ON) +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2

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KDB2532

SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB2572(FDB2572) Features TO-263 Unit mm rDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID =9A +0.2 4.57-0.2 +0.1 Qg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V 1.27-0.1 Low Miller Charge Low QRR Body Diode UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) +0.1 0.1max 1.27-0.1 +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2 3

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