KDB2532. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KDB2532
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для KDB2532
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
KDB2532 даташит
kdb2532.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB2532(FDB2532) TO-263 Unit mm Features +0.2 4.57-0.2 +0.1 rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 33A 1.27-0.1 Qg(tot) = 82nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode +0.1 0.1max 1.27-0.1 UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2 3
kdb2552.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB2552(FDB2552) Features TO-263 Unit mm rDS(ON) = 32m (Typ.), VGS = 10V, ID = 16A +0.2 4.57-0.2 +0.1 Qg(tot) = 39nC (Typ.), VGS = 10V 1.27-0.1 Low Miller Charge Low QRR Body Diode UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) +0.1 0.1max 1.27-0.1 +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2 3
kdb2570.pdf
SMD Type MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET KDB2570(FDB2570) TO-263 Unit mm Features 22 A, 150 V. RDS(ON) =80 m @VGS =10 V +0.2 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 RDS(ON) =90m @VGS =6V Low gate charge Fast switching speed +0.1 0.1max 1.27-0.1 High performance trench technology for extremely low RDS(ON) +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2
kdb2572.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB2572(FDB2572) Features TO-263 Unit mm rDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID =9A +0.2 4.57-0.2 +0.1 Qg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V 1.27-0.1 Low Miller Charge Low QRR Body Diode UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) +0.1 0.1max 1.27-0.1 +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2 3
Другие MOSFET... K2611B , K2611S , K2611SB , K2698 , K2698B , K2837 , K2837B , KDB15N50 , 8N60 , KDB2552 , KDB2570 , KDB2572 , KDB2670 , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 , KDB3682 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent




