KDB2572 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KDB2572
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KDB2572

KDB2572 Datasheet (PDF)

..1. Size:52K kexin
kdb2572.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB2572(FDB2572)FeaturesTO-263Unit: mmrDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID =9A+0.24.57-0.2+0.1Qg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V1.27-0.1Low Miller ChargeLow QRR Body DiodeUIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.1max1.27-0.1+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.23

8.1. Size:50K kexin
kdb2570.pdf

SMD Type MOSFET150V N-Channel PowerTrench MOSFETKDB2570(FDB2570)TO-263Unit: mmFeatures22 A, 150 V. RDS(ON) =80 m @VGS =10 V +0.24.57-0.2+0.11.27-0.1RDS(ON) =90m @VGS =6VLow gate chargeFast switching speed+0.10.1max1.27-0.1High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.2

9.1. Size:51K kexin
kdb2532.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB2532(FDB2532)TO-263Unit: mmFeatures+0.24.57-0.2+0.1rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 33A 1.27-0.1Qg(tot) = 82nC (Typ.), VGS = 10VLow Miller ChargeLow QRR Body Diode+0.10.1max1.27-0.1UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.23

9.2. Size:51K kexin
kdb2552.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB2552(FDB2552)FeaturesTO-263Unit: mmrDS(ON) = 32m (Typ.), VGS = 10V, ID = 16A+0.24.57-0.2+0.1Qg(tot) = 39nC (Typ.), VGS = 10V 1.27-0.1Low Miller ChargeLow QRR Body DiodeUIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.1max1.27-0.1+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.23

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: