KDB3672 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDB3672

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 247 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO-263

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KDB3672 datasheet

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KDB3672

SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB3672 (FDB3672) TO-263 Features Unit mm rDS(ON) =24m (Typ.), VGS = 10V, ID =44A +0.2 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode +0.1 0.1max UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) 1.27-0.1 +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2 3

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KDB3672

SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB3632(FDB3632) TO-263 Unit mm Features rDS(ON) =7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A +0.2 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode +0.1 0.1max 1.27-0.1 UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2 3

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 kdb3652.pdf pdf_icon

KDB3672

SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB3652 (FDB3652) TO-263 Unit mm Features rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A +0.2 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode +0.1 0.1max 1.27-0.1 UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2

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KDB3672

SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB3682 (FDB3682) TO-263 Unit mm Features +0.2 rDS(ON) =32m (Typ.), VGS = 10V, ID =32A 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 Qg(tot) = 18.5nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode +0.1 0.1max 1.27-0.1 UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2

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