KDB3672 - описание и поиск аналогов

 

KDB3672. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDB3672

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 247 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KDB3672

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB3672 даташит

 ..1. Size:52K  kexin
 kdb3672.pdf pdf_icon

KDB3672

SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB3672 (FDB3672) TO-263 Features Unit mm rDS(ON) =24m (Typ.), VGS = 10V, ID =44A +0.2 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode +0.1 0.1max UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) 1.27-0.1 +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2 3

 9.1. Size:52K  kexin
 kdb3632.pdf pdf_icon

KDB3672

SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB3632(FDB3632) TO-263 Unit mm Features rDS(ON) =7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A +0.2 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode +0.1 0.1max 1.27-0.1 UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2 3

 9.2. Size:52K  kexin
 kdb3652.pdf pdf_icon

KDB3672

SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB3652 (FDB3652) TO-263 Unit mm Features rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A +0.2 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode +0.1 0.1max 1.27-0.1 UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2

 9.3. Size:52K  kexin
 kdb3682.pdf pdf_icon

KDB3672

SMD Type MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET KDB3682 (FDB3682) TO-263 Unit mm Features +0.2 rDS(ON) =32m (Typ.), VGS = 10V, ID =32A 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 Qg(tot) = 18.5nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode +0.1 0.1max 1.27-0.1 UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... KDB15N50 , KDB2532 , KDB2552 , KDB2570 , KDB2572 , KDB2670 , KDB3632 , KDB3652 , 7N60 , KDB3682 , KDB4020P , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.