KDB3672 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KDB3672
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 59 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 247 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO-263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
KDB3672 Datasheet (PDF)
kdb3672.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB3672 (FDB3672)TO-263FeaturesUnit: mmrDS(ON) =24m (Typ.), VGS = 10V, ID =44A+0.24.57-0.2+0.11.27-0.1Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 10VLow Miller ChargeLow QRR Body Diode+0.10.1maxUIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)1.27-0.1+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.23
kdb3632.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB3632(FDB3632)TO-263Unit: mmFeaturesrDS(ON) =7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A +0.24.57-0.2+0.11.27-0.1Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10VLow Miller ChargeLow QRR Body Diode+0.10.1max1.27-0.1UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.23
kdb3652.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB3652 (FDB3652)TO-263Unit: mmFeaturesrDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A +0.24.57-0.2+0.11.27-0.1Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10VLow Miller ChargeLow QRR Body Diode+0.10.1max1.27-0.1UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.2
kdb3682.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB3682 (FDB3682)TO-263Unit: mmFeatures+0.2rDS(ON) =32m (Typ.), VGS = 10V, ID =32A4.57-0.2+0.11.27-0.1Qg(tot) = 18.5nC (Typ.), VGS = 10VLow Miller ChargeLow QRR Body Diode+0.10.1max1.27-0.1UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.2
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: R6520KNJ | IPSA70R600CE | IAUC100N10S5N040 | STU601S | HAT2071R | 12N80L-TC3-T | VBZE06N02
History: R6520KNJ | IPSA70R600CE | IAUC100N10S5N040 | STU601S | HAT2071R | 12N80L-TC3-T | VBZE06N02



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06