Справочник MOSFET. KDB3672

 

KDB3672 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDB3672
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 247 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для KDB3672

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB3672 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  kexin
 kdb3672.pdf pdf_icon

KDB3672

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB3672 (FDB3672)TO-263FeaturesUnit: mmrDS(ON) =24m (Typ.), VGS = 10V, ID =44A+0.24.57-0.2+0.11.27-0.1Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 10VLow Miller ChargeLow QRR Body Diode+0.10.1maxUIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)1.27-0.1+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.23

 9.1. Size:52K  kexin
 kdb3632.pdf pdf_icon

KDB3672

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB3632(FDB3632)TO-263Unit: mmFeaturesrDS(ON) =7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A +0.24.57-0.2+0.11.27-0.1Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10VLow Miller ChargeLow QRR Body Diode+0.10.1max1.27-0.1UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.23

 9.2. Size:52K  kexin
 kdb3652.pdf pdf_icon

KDB3672

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB3652 (FDB3652)TO-263Unit: mmFeaturesrDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A +0.24.57-0.2+0.11.27-0.1Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10VLow Miller ChargeLow QRR Body Diode+0.10.1max1.27-0.1UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.2

 9.3. Size:52K  kexin
 kdb3682.pdf pdf_icon

KDB3672

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB3682 (FDB3682)TO-263Unit: mmFeatures+0.2rDS(ON) =32m (Typ.), VGS = 10V, ID =32A4.57-0.2+0.11.27-0.1Qg(tot) = 18.5nC (Typ.), VGS = 10VLow Miller ChargeLow QRR Body Diode+0.10.1max1.27-0.1UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFZ44RP

 

 
Back to Top

 


 
.