KDB7045L Todos los transistores

 

KDB7045L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDB7045L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 114 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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KDB7045L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  kexin
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KDB7045L

SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETKDB7045LTO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1100 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0045 @VGS =10VRDS(ON) = 0.006 @VGS =4.5 VCritical DC electrical parameters specified atelevated temperature+0.10.1max1.27-0.1Rugged internal source-drain diode can eliminate theneed for an external Zener diode

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History: IXTV230N85TS | KDB5690

 

 
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