KDB7045L Todos los transistores

 

KDB7045L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDB7045L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 114 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO-263

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KDB7045L datasheet

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KDB7045L

SMD Type IC SMD Type Transistors N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET KDB7045L TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 100 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0045 @VGS =10V RDS(ON) = 0.006 @VGS =4.5 V Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature +0.1 0.1max 1.27-0.1 Rugged internal source-drain diode can eliminate the need for an external Zener diode

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History: KDR8702H

 

 

 


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