Справочник MOSFET. KDB7045L

 

KDB7045L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDB7045L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для KDB7045L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB7045L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  kexin
 kdb7045l.pdf pdf_icon

KDB7045L

SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETKDB7045LTO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1100 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0045 @VGS =10VRDS(ON) = 0.006 @VGS =4.5 VCritical DC electrical parameters specified atelevated temperature+0.10.1max1.27-0.1Rugged internal source-drain diode can eliminate theneed for an external Zener diode

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FMI06N60ES

 

 
Back to Top

 


 
.