KDS4501H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KDS4501H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 424 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KDS4501H

KDS4501H Datasheet (PDF)

..1. Size:77K kexin
kds4501h.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary PowerTrench Half-Bridge MOSFETKDS4501HFeaturesN-Channel9.3A, 30V RDS(ON) = 18m @VGS =10 VRDS(ON) = 23m @VGS =4.5VP-Channel-5.6 A, -20 V RDS(ON) =46 m @VGS =- 4.5 VRDS(ON) =63m @VGS =-2.5VAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P- Channel UnitDrain to Source Voltage VDSS 30 -20 VGate to Source Voltage VGS

9.1. Size:78K kexin
kds4559.pdf

SMD Type ICSMD Type Transistors60V Complementary PowerTrench MOSFETKDS4559FeaturesN-Channel4.5A, 60V RDS(ON) =55m @VGS =10VRDS(ON) = 75m @VGS =4.5VP-Channel-3.5 A, -60 V RDS(ON) = 105 m @ VGS =- 10 VRDS(ON) = 135 m @VGS =-4.5VAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P- Channel UnitDrain to Source Voltage VDSS 60 -60 VGate to Source Voltage VGS 20 20

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History: SFF80N20MDB | AP6923GMT

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: