KDS4501H Todos los transistores

 

KDS4501H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDS4501H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 424 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KDS4501H datasheet

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KDS4501H

SMD Type IC SMD Type Transistors Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET KDS4501H Features N-Channel 9.3A, 30V RDS(ON) = 18m @VGS =10 V RDS(ON) = 23m @VGS =4.5V P-Channel -5.6 A, -20 V RDS(ON) =46 m @VGS =- 4.5 V RDS(ON) =63m @VGS =-2.5V Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P- Channel Unit Drain to Source Voltage VDSS 30 -20 V Gate to Source Voltage VGS

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KDS4501H

SMD Type IC SMD Type Transistors 60V Complementary PowerTrench MOSFET KDS4559 Features N-Channel 4.5A, 60V RDS(ON) =55m @VGS =10V RDS(ON) = 75m @VGS =4.5V P-Channel -3.5 A, -60 V RDS(ON) = 105 m @ VGS =- 10 V RDS(ON) = 135 m @VGS =-4.5V Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P- Channel Unit Drain to Source Voltage VDSS 60 -60 V Gate to Source Voltage VGS 20 20

Otros transistores... KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , IRF730 , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A .

 

 

 

 

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