KDS4501H - описание и поиск аналогов

 

KDS4501H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDS4501H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 424 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KDS4501H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS4501H даташит

 ..1. Size:77K  kexin
 kds4501h.pdf pdf_icon

KDS4501H

SMD Type IC SMD Type Transistors Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET KDS4501H Features N-Channel 9.3A, 30V RDS(ON) = 18m @VGS =10 V RDS(ON) = 23m @VGS =4.5V P-Channel -5.6 A, -20 V RDS(ON) =46 m @VGS =- 4.5 V RDS(ON) =63m @VGS =-2.5V Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P- Channel Unit Drain to Source Voltage VDSS 30 -20 V Gate to Source Voltage VGS

 9.1. Size:78K  kexin
 kds4559.pdf pdf_icon

KDS4501H

SMD Type IC SMD Type Transistors 60V Complementary PowerTrench MOSFET KDS4559 Features N-Channel 4.5A, 60V RDS(ON) =55m @VGS =10V RDS(ON) = 75m @VGS =4.5V P-Channel -3.5 A, -60 V RDS(ON) = 105 m @ VGS =- 10 V RDS(ON) = 135 m @VGS =-4.5V Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P- Channel Unit Drain to Source Voltage VDSS 60 -60 V Gate to Source Voltage VGS 20 20

Другие MOSFET... KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , IRF730 , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.