KDS4501H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KDS4501H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 424 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
KDS4501H Datasheet (PDF)
kds4501h.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary PowerTrench Half-Bridge MOSFETKDS4501HFeaturesN-Channel9.3A, 30V RDS(ON) = 18m @VGS =10 VRDS(ON) = 23m @VGS =4.5VP-Channel-5.6 A, -20 V RDS(ON) =46 m @VGS =- 4.5 VRDS(ON) =63m @VGS =-2.5VAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P- Channel UnitDrain to Source Voltage VDSS 30 -20 VGate to Source Voltage VGS
kds4559.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type ICSMD Type Transistors60V Complementary PowerTrench MOSFETKDS4559FeaturesN-Channel4.5A, 60V RDS(ON) =55m @VGS =10VRDS(ON) = 75m @VGS =4.5VP-Channel-3.5 A, -60 V RDS(ON) = 105 m @ VGS =- 10 VRDS(ON) = 135 m @VGS =-4.5VAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P- Channel UnitDrain to Source Voltage VDSS 60 -60 VGate to Source Voltage VGS 20 20
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .