Справочник MOSFET. KDS4501H

 

KDS4501H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KDS4501H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 424 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для KDS4501H

 

 

KDS4501H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  kexin
 kds4501h.pdf

KDS4501H KDS4501H

SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary PowerTrench Half-Bridge MOSFETKDS4501HFeaturesN-Channel9.3A, 30V RDS(ON) = 18m @VGS =10 VRDS(ON) = 23m @VGS =4.5VP-Channel-5.6 A, -20 V RDS(ON) =46 m @VGS =- 4.5 VRDS(ON) =63m @VGS =-2.5VAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P- Channel UnitDrain to Source Voltage VDSS 30 -20 VGate to Source Voltage VGS

 9.1. Size:78K  kexin
 kds4559.pdf

KDS4501H KDS4501H

SMD Type ICSMD Type Transistors60V Complementary PowerTrench MOSFETKDS4559FeaturesN-Channel4.5A, 60V RDS(ON) =55m @VGS =10VRDS(ON) = 75m @VGS =4.5VP-Channel-3.5 A, -60 V RDS(ON) = 105 m @ VGS =- 10 VRDS(ON) = 135 m @VGS =-4.5VAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P- Channel UnitDrain to Source Voltage VDSS 60 -60 VGate to Source Voltage VGS 20 20

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top