KF5N40D Todos los transistores

 

KF5N40D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KF5N40D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: DPAK

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KF5N40D datasheet

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KF5N40D

KF5N40D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF5N40D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast A K DIM MILLIMETERS switching time, low on resistance, low gate charge and excellent L C D _ A 6.60 + 0.20 avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Convertor and _ B 6.10 + 0.20 _ C 5.34 +

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