KF5N40D Todos los transistores

 

KF5N40D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KF5N40D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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KF5N40D Datasheet (PDF)

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KF5N40D

KF5N40D/I SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF5N40D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastA KDIM MILLIMETERSswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentLC D_A 6.60 + 0.20avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Convertor and _B 6.10 + 0.20_C 5.34 +

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History: FRE9160H | IPT020N10N3 | FRM430R | IXFX26N90 | IPT004N03L | BR12N60 | NTTD4401F

 

 
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