Справочник MOSFET. KF5N40D

 

KF5N40D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KF5N40D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для KF5N40D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF5N40D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:924K  kec
 kf5n40d.pdf pdf_icon

KF5N40D

KF5N40D/I SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF5N40D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastA KDIM MILLIMETERSswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentLC D_A 6.60 + 0.20avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Convertor and _B 6.10 + 0.20_C 5.34 +

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPT020N10N3 | ZVN3310FTC

 

 
Back to Top

 


 
.