KF5N40D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KF5N40D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.4 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm
Тип корпуса: DPAK
KF5N40D Datasheet (PDF)
..1. Size:924K kec
kf5n40d.pdf
kf5n40d.pdf
KF5N40D/I SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF5N40D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastA KDIM MILLIMETERSswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentLC D_A 6.60 + 0.20avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Convertor and _B 6.10 + 0.20_C 5.34 +
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
