KF6N70I Todos los transistores

 

KF6N70I MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KF6N70I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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KF6N70I datasheet

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KF6N70I

KF6N70I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description A H This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C J switching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for DIM MILLIMETERS electronic ballast and switching mode power supplie

 8.1. Size:381K  kec
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KF6N70I

KF6N70F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description C A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS _ A 10.16 0.2 + correction and switching mode power supplie

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History: IPB032N10N5

 

 
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