KF6N70I Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KF6N70I  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.65 Ohm

Encapsulados: IPAK

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KF6N70I datasheet

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KF6N70I

KF6N70I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description A H This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C J switching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for DIM MILLIMETERS electronic ballast and switching mode power supplie

 8.1. Size:381K  kec
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KF6N70I

KF6N70F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description C A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS _ A 10.16 0.2 + correction and switching mode power supplie

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