KF6N70I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KF6N70I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KF6N70I

KF6N70I Datasheet (PDF)

..1. Size:448K kec
kf6n70i.pdf

KF6N70ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AHThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastC Jswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gatecharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable forDIM MILLIMETERSelectronic ballast and switching mode power supplie

8.1. Size:381K kec
kf6n70f.pdf

KF6N70FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description CAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorE DIM MILLIMETERS_A 10.16 0.2+correction and switching mode power supplie

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Liste

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