KF6N70I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KF6N70I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 119 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 91 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.65 Ohm
Тип корпуса: IPAK
KF6N70I Datasheet (PDF)
kf6n70i.pdf
KF6N70ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AHThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastC Jswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gatecharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable forDIM MILLIMETERSelectronic ballast and switching mode power supplie
kf6n70f.pdf
KF6N70FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description CAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorE DIM MILLIMETERS_A 10.16 0.2+correction and switching mode power supplie
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
