KHC21025 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KHC21025
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de KHC21025 MOSFET
KHC21025 Datasheet (PDF)
khc21025.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary enhancementmode MOS transistorsKHC21025FeaturesHigh-speed switchingNo secondary breakdownVery low on-resistance.Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain to Source Voltage VDSS 30 -30 VGate to Source Voltage VGS 20 20 VDrain Current Ts 80 ID 3.5 -2.3 Apeak drain current *1 IDM 14 -10 A
Otros transistores... KF5N50FR , KF5N50PR , KF5N50PS , KF5N65I , KF6N70F , KF6N70I , KF7N65FM , KF9N40D , 5N60 , KHC2300 , KHP45N03LT , KI1302DL , KI1303EDL , KI1304BDL , KI1400DL , KI1407DL , KI1501DL .
History: IXTT60N20L2 | IXFH28N60P3 | 2SK1905 | H4946S | IRF4104PBF | SST4117 | LSG70R640GT
History: IXTT60N20L2 | IXFH28N60P3 | 2SK1905 | H4946S | IRF4104PBF | SST4117 | LSG70R640GT



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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