KHC21025 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KHC21025  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KHC21025

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KHC21025 даташит

 ..1. Size:57K  kexin
 khc21025.pdf pdf_icon

KHC21025

SMD Type IC SMD Type Transistors Complementary enhancement mode MOS transistors KHC21025 Features High-speed switching No secondary breakdown Very low on-resistance. Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain to Source Voltage VDSS 30 -30 V Gate to Source Voltage VGS 20 20 V Drain Current Ts 80 ID 3.5 -2.3 A peak drain current *1 IDM 14 -10 A

Другие IGBT... KF5N50FR, KF5N50PR, KF5N50PS, KF5N65I, KF6N70F, KF6N70I, KF7N65FM, KF9N40D, 2SK3878, KHC2300, KHP45N03LT, KI1302DL, KI1303EDL, KI1304BDL, KI1400DL, KI1407DL, KI1501DL