KI2323DS Todos los transistores

 

KI2323DS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI2323DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 191 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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KI2323DS datasheet

 ..1. Size:50K  kexin
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KI2323DS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 20-V (D-S) MOSFET KI2323DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features TrenchFET Power MOSFET 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Volta

 8.1. Size:144K  kexin
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KI2323DS

SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET KI2323 Features 3 VDS (V) =-20V ID =-4.7A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 60m (VGS =-4.5V) 12 RDS(ON) 90m (VGS =-2.5V) G 1 3 D S 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State

 9.1. Size:437K  tysemi
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KI2323DS

SMD Type IC SMD Type MOSFET SMD Type MOSFET Product specification KI2321DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Features 3 VDS (V) = -30V ID =-4.2A(VGS = -10V) RDS(ON)

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KI2323DS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 150-V (D-S) MOSFET KI2325DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 Features +0.1 0.4-0.1 3 TrenchFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Small Size 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit Drain-Source

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History: RSR030N06

 

 
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