KI2323DS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI2323DS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 191 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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KI2323DS datasheet

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KI2323DS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 20-V (D-S) MOSFET KI2323DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features TrenchFET Power MOSFET 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Volta

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KI2323DS

SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET KI2323 Features 3 VDS (V) =-20V ID =-4.7A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 60m (VGS =-4.5V) 12 RDS(ON) 90m (VGS =-2.5V) G 1 3 D S 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State

 9.1. Size:437K  tysemi
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KI2323DS

SMD Type IC SMD Type MOSFET SMD Type MOSFET Product specification KI2321DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Features 3 VDS (V) = -30V ID =-4.2A(VGS = -10V) RDS(ON)

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KI2323DS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 150-V (D-S) MOSFET KI2325DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 Features +0.1 0.4-0.1 3 TrenchFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Small Size 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit Drain-Source

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