KI2333CDS Todos los transistores

 

KI2333CDS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI2333CDS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI2333CDS

 

KI2333CDS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  tysemi
ki2333cds.pdf

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SMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type MOSFETSMD Type MOSFESMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD Type ICProduct specification KI2333CDSSOT-23 FeaturesUnit: mm+0.12.9-0.1+0.1 0.4-0.1 VDSS=-12V,ID=-5.1A3 RD S(ON)=35m(MAX) @ VGS=-2.5V,ID=-4.5AD S(ON) GS D R =45m(MAX) @ V =-4.5V,I =-5.1AD

 ..2. Size:1947K  kexin
si2333cds ki2333cds.pdf

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SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2333CDS (KI2333CDS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-12V ID =-5.1A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 35m (VGS =-4.5V)1 2+0.02+0.1 RDS(ON) 45m (VGS =-2.5V)0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2 RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V)G 1 3 D 1. Gate2. SourceS 2 3. D

 9.1. Size:62K  kexin
ki2337ds.pdf

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SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 12-V (D-S) MOSFETKI2337DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesTrenchFET Power MOSFET12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec UnitDrain-Source Voltage VDS -80 VGate-Source Voltage VGS 20 V

 9.2. Size:51K  kexin
ki2335ds.pdf

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SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 12-V (D-S) MOSFETKI2335DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1Features312+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -12 VGate-Source Voltage VGS 8 VContinuous D

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
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