Справочник MOSFET. KI2333CDS

 

KI2333CDS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KI2333CDS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KI2333CDS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  tysemi
ki2333cds.pdfpdf_icon

KI2333CDS

SMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type MOSFETSMD Type MOSFESMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD Type ICProduct specification KI2333CDSSOT-23 FeaturesUnit: mm+0.12.9-0.1+0.1 0.4-0.1 VDSS=-12V,ID=-5.1A3 RD S(ON)=35m(MAX) @ VGS=-2.5V,ID=-4.5AD S(ON) GS D R =45m(MAX) @ V =-4.5V,I =-5.1AD

 ..2. Size:1947K  kexin
si2333cds ki2333cds.pdfpdf_icon

KI2333CDS

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2333CDS (KI2333CDS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-12V ID =-5.1A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 35m (VGS =-4.5V)1 2+0.02+0.1 RDS(ON) 45m (VGS =-2.5V)0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2 RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V)G 1 3 D 1. Gate2. SourceS 2 3. D

 9.1. Size:62K  kexin
ki2337ds.pdfpdf_icon

KI2333CDS

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 12-V (D-S) MOSFETKI2337DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesTrenchFET Power MOSFET12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec UnitDrain-Source Voltage VDS -80 VGate-Source Voltage VGS 20 V

 9.2. Size:51K  kexin
ki2335ds.pdfpdf_icon

KI2333CDS

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 12-V (D-S) MOSFETKI2335DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1Features312+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -12 VGate-Source Voltage VGS 8 VContinuous D

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KMB050N60PA | RU60450Q | FDR842P | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.