KI2351DS Todos los transistores

 

KI2351DS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI2351DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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KI2351DS datasheet

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KI2351DS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 20-V (D-S) MOSFET KI2351DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features TrenchFET Power MOSFET PWM Optimized 12 100 % Rg tested +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V

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