KI2351DS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KI2351DS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KI2351DS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI2351DS даташит

 ..1. Size:61K  kexin
 ki2351ds.pdf pdf_icon

KI2351DS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 20-V (D-S) MOSFET KI2351DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features TrenchFET Power MOSFET PWM Optimized 12 100 % Rg tested +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V

Другие IGBT... KI2321DS, KI2323DS, KI2325DS, KI2328DS, KI2333CDS, KI2335DS, KI2337DS, KI2341DS, 7N60, KI4300DY, KI4330DY, KI4390DY, KI4403BDY, KI4433DY, KI4453DY, KI4464DY, KI4500BDY