KI4300DY Todos los transistores

 

KI4300DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI4300DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0185 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KI4300DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  renesas
 ki4300dy.pdf pdf_icon

KI4300DY

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 30-V (D-S), Reduced QgFast Switching MOSFET with Schottky DiodeKI4300DYFeaturesTrenchFET Power MOSFETLITTLE FOOT PlusTM Integrated SchottkyPWM OptimizedAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage (MOSFET) VDS 30Reverse Voltage (Schottky) VDA 30 VGate-Source Voltage VGS 20Continuous Dra

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History: P2610AI | JCS740CC | HRS140N06K

 

 
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