KI4300DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KI4300DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0185 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI4300DY
KI4300DY Datasheet (PDF)
ki4300dy.pdf
SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 30-V (D-S), Reduced QgFast Switching MOSFET with Schottky DiodeKI4300DYFeaturesTrenchFET Power MOSFETLITTLE FOOT PlusTM Integrated SchottkyPWM OptimizedAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage (MOSFET) VDS 30Reverse Voltage (Schottky) VDA 30 VGate-Source Voltage VGS 20Continuous Dra
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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