KI4300DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KI4300DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KI4300DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI4300DY даташит

 ..1. Size:56K  renesas
 ki4300dy.pdf pdf_icon

KI4300DY

SMD Type IC SMD Type IC N-Channel 30-V (D-S), Reduced Qg Fast Switching MOSFET with Schottky Diode KI4300DY Features TrenchFET Power MOSFET LITTLE FOOT PlusTM Integrated Schottky PWM Optimized Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage (MOSFET) VDS 30 Reverse Voltage (Schottky) VDA 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 Continuous Dra

Другие IGBT... KI2323DS, KI2325DS, KI2328DS, KI2333CDS, KI2335DS, KI2337DS, KI2341DS, KI2351DS, IRFZ24N, KI4330DY, KI4390DY, KI4403BDY, KI4433DY, KI4453DY, KI4464DY, KI4500BDY, KI4501ADY